近期，专注智能卡芯片设计的“同方微电子”与“宏力半导体”共同宣布，“宏力半导体”的0.13微米微缩版嵌入式闪存技术是在现有成熟的0.13微米嵌入式闪存技术基础上，进一步优化生产工艺，将原来0.38平方微米的闪存存储单元面积显著减小了近50%(小于0.2平方微米)，为业界0.13微米嵌入式闪存技术节点的最小闪存存储单元尺寸，尤其适合大容量闪存的产品。“同方微电子”采用“宏力半导体”0.13微米微缩版嵌入式闪存技术生产的SIM卡芯片出货量已超过2亿颗，且生产良率稳定，产品性能突出，已大量投放国内市场。该闪存技术具有很高的耐擦写能力和数据保持特性，可重复擦写10万次，数据保持100年，并且兼具编程效率高和无过度擦除的优点。此外，该款技术搭配“宏力半导体”独有的双闸工艺平台，提供了市场应用中最低本高效之解决方案。
　　“宏力半导体”的0.13微米微缩版嵌入式闪存技术应用到“同方微电子”SIM卡芯片的生产服务中，帮助“同方微电子”进一步巩固国内SIM卡芯片市场地位。“同方微电子”选择“宏力半导体”作为其SIM卡芯片的合作伙伴。除SIM卡外，我们的0.13微米微缩版嵌入式闪存生产工艺还可为USB密钥、移动支付、工业电子等产品提供极具竞争力的解决方案，迅速帮助客户扩大产品市场份额。